NTC熱敏電阻:晶圓領域 激流勇進
發布時間：2017/12/6 訪問人數：1715次
就在今年9月19日，沉寂多時的Intel在北京開展了一場有關制程工藝以及晶圓代工的展示活動，試圖用數據向外界證明在半導體領域中，誰才是真正的王者。甚至在嘉賓演講的PPT上，都出現了臺積電以及三星的名字，這在以前是非常罕見的，不過這也證明另外兩家企業已經給了Intel足夠的威脅感。
暗流涌動 晶圓市場強者生存
隨著AI、大數據、IoT等應用產品的爆發式發展，先進工藝芯片的需求量也在增加，而現在全球市場能夠提供先進制程的晶圓廠寥寥無幾，主要以Intel、三星、臺積電為代表，并且先進工藝的代工利潤率也是非常可觀的，所以這三位玩家顯然不會在這個領域中輕易退出。
以主流先進制程的競爭來說，在2017年上半年，臺積電10nm就已經開始放量增長，而在9月11日臺積電在官網宣布聯手ARM、Xilinx等公司發布全球首個基于7nm工藝的芯片，并將在2018年正式量產。并且據臺媒報道，臺積電的5nm將會在2019年進行風險試產階段。
細微之處 各有所長
而在5nm以下的制程，EUV則是必備工具，三星在明年生產7nm時，將會率先采用EUV，這也讓三星能夠提前適應EUV，有望加快發展速度。相較之下，臺積電的第一代7nm制程將仍然采用傳統的浸潤式微影技術，第二代才會使用EUV。
暗流涌動 晶圓市場強者生存
三星電子也表示，除了在2017年進行8nmLPP（Low Power Plus低功耗加強版）制程進行風險試產外，還將在2018年推出7nm，同時三星也表示2019年將陸續推出5、6nm制程，而在2020年將投產4nm并導入環繞式閘級架構。
雖然目前臺積電由于率先進行7nm的生產先人一步，但由于三星準備提前使用EUV技術，后續發展誰將領先，猶未可知。與此同時，AMD今年推出的Ryzen處理器更是使用了由格羅方德提供的的14nm LPP工藝。
因此，如今Intel的處境已是群狼環飼，所有的競爭對手都在奮力追趕。不過面對這樣的局面，Intel也在當時大會上給出了PTT顯示，目前Intel的10nm制程依然遙遙領先于三星以及臺積電。
以10nm制程為例，Intel產品的最小柵極間距從70nm縮小至54nm，且最小金屬間距從52nm縮小至36nm。尺寸的縮小使得邏輯晶體管密度可達到每平方毫米1.008億個晶體管，是之前Intel14nm制程的2.7倍，大約是業界其他10nm制程的2倍。
據Intel方面透露，在2015年有7套EUV系統，現在有14套，其中分別為8套NXE3300B系統和6套NXE3350B系統。不過Intel目前也表示，光刻膠暫時還不會引入EUV。
在電子電路中，用NTC熱敏電阻進行溫度補償是因為許多元器件（如線圈、晶體振蕩器、晶體管、液晶屏等）的特性隨著溫度的變化而變化，且具有正的溫度系數。環境溫度的變化會導致電信號的偏移，用NTC熱敏電阻器進行補償后就可以使這些元件在很寬的溫度范圍內正常工作。
時恒集團憑借獨特的工藝方法和領先技術，生產的產品NTC溫度傳感器、熱敏電阻具有高精度、高可靠性、高穩定性等突出優勢，處于行業領先水平，主要產品均通過了CQC、UL、CUL、TUV等認證。時恒集團緊跟國際發展動態，不斷研發出具有國際先進水平的新產品，多項科技項目獲得包括國家火炬計劃、國家科技部創新基金在內的各級政府的立項和資助。時恒集團高品質的產品深受用戶的青睞，產品廣泛應用于工業電子設備、通訊、電力、交通、醫療設備、汽車電子、家用電器、測試儀器、電源設備、智能家居、綠色能源、節能環保及軍工等領域，產品遠銷歐洲、北美等國際市場。
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